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概述： 半導體激光器的工作物質有砷化鉀（gaas），砷化銦（inas），銻化銦（insn），鋁化鎵（gaalas）等，輸出波長大都在可見光的長波到近紅外之間，醫用最短的有650nm（常用作瞄準光），常見的波長有810n
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半導體激光器的工作物質有砷化鉀（gaas），砷化銦（inas），銻化銦（insn），鋁化鎵（gaalas）等，輸出波長大都在可見光的長波到近紅外之間，醫用最短的有650nm（常用作瞄準光），常見的波長有810nm,980nm等，不同種類的半導體激光器輸出功率差別較大：雙異質結條形激光器連續輸出功率為數百毫瓦，脈沖輸出可達幾十瓦；激光列陣器件連續輸出功率可達百瓦級，脈沖輸出達千瓦級；可調諧激光器連續輸出功率為零點幾毫瓦，脈沖峰值功率可達幾十瓦。
較常用的810nm半導體激光器功率為0.5~25~60w，治療模式為0.1~9.9s單脈沖、重復脈沖及連續輸出，采用400、600、1000nm接觸式及非接觸式光纖和探頭傳輸，汽化效果較1064nm快三倍，同時兼具良好的止血效果，術中術后出血少，術中光束對神經和組織沒有電刺激，產生煙霧少，病人損失少，出血少，疼痛輕，愈合快，并發癥少，住院時間短，另外配以多種內徑的光纖可方便與任何一種內窺鏡匹配，在開放手術中也可靈活應用。
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較常用的810nm半導體激光器功率為0.5~25~60w，治療模式為0.1~9.9s單脈沖、重復脈沖及連續輸出，采用400、600、1000nm接觸式及非接觸式光纖和探頭傳輸，汽化效果較1064nm快三倍，同時兼具良好的止血效果，術中術后出血少，術中光束對神經和組織沒有電刺激，產生煙霧少，病人損失少，出血少，疼痛輕，愈合快，并發癥少，住院時間短，另外配以多種內徑的光纖可方便與任何一種內窺鏡匹配，在開放手術中也可靈活應用。
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